特許

J-GLOBAL ID：201103093842638196

SiC単結晶製造方法、およびそれを用いて製造するSiC結晶

発明者： 呂 民雅 ,  米澤 喜幸
出願人/特許権者： 富士電機ホールディングス株式会社
代理人 (11件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文 ,  吉田 尚美 ,  中村 綾子 ,  深川 英里 ,  森本 聡二 ,  角田 恭子 ,  松崎 隆 ,  広瀬 幹規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-226715
公開番号（公開出願番号）：特開2011-073915
出願日： 2009年09月30日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：

【課題】低い格子欠陥密度で良質なSiC単結晶を、高い成長速度で、かつ長時間安定して成長させることのできるSiC単結晶製造方法を提供する。【解決手段】SiC単結晶基板15とSiを含む原料を加熱かつ融解して得られた融液層16とを接触させることによって、基板15上にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶製造方法において、大気圧下または加圧下で、基板15との接触部とは反対側の融液層16の表面16b側から、Siを含む分子とCを含む分子とを含むプラズマ17を供給し、かつ融液層16の基板15との接触部における温度を融液層16の表面16bにおける温度より低くする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

SiC単結晶基板とSiを含む原料を加熱かつ融解して得られた融液層とを接触させることによって、前記基板上にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶製造方法において、 大気圧下または加圧下で、前記基板との接触部とは反対側の前記融液層の表面側から、Siを含む分子とCを含む分子とを含むプラズマを供給し、かつ前記融液層の基板との接触部における温度を前記融液層の表面における温度より低くすることを含むSiC単結晶製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/208 ,  C30B 19/04

FI (3件)：

C30B29/36 A ,  H01L21/208 D ,  C30B19/04

Fターム (28件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG01 ,  4G077CG07 ,  4G077EA01 ,  4G077EA04 ,  4G077EC01 ,  4G077EC08 ,  4G077EC09 ,  4G077ED06 ,  4G077EJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA34 ,  4G077QA38 ,  4G077QA71 ,  4G077RA09 ,  5F053AA03 ,  5F053BB32 ,  5F053DD02 ,  5F053FF05 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053RR03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 液相成長法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-223894   出願人：木村親夫, 株式会社ケミトロニクス
• 炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-164061   出願人：住友金属工業株式会社