特許
J-GLOBAL ID：200903089825748888

液相成長法

発明者：
木村 親夫

木村 親夫 について


出願人/特許権者：
木村 親夫

木村 親夫 について

, 
株式会社ケミトロニクス

株式会社ケミトロニクス について


代理人 (1件)： 櫻井 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-223894
公開番号（公開出願番号）：特開2007-039267
出願日： 2005年08月02日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：
【課題】シリコンカーバイド半導体デバイスなどの製造に適した液相成長法を提供する。【解決手段】本発明の液相成長法は、イオン化された第1の元素を含むプラズマに直流電流を重畳することにより、基板上(S) に形成される導電性の溶媒(A) に前記プラズマ中のイオン化された第1の元素を供給する工程と、この溶媒に供給された第1の元素と、この溶媒に予め含まれる第2の元素とを反応せしめて溶質を形成する工程と、この形成された溶質を前記溶媒中に形成される温度差と前記溶質の濃度差に基づき前記溶媒(A) 中を移動せしめて、前記溶質の成長層を前記基板(S) の表面に形成せしめる工程とを含んでいる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
イオン化された第1の元素を含むプラズマに直流電流を重畳することにより、基板上に形成される導電性の溶媒に前記プラズマ中の前記イオン化された第1の元素を供給する工程と、 この溶媒に供給された前記第1の元素と、この溶媒に予め含まれる第2の元素とを反応せしめて溶質を形成する工程と、 この形成された溶質を、前記溶媒中に形成される温度差と前記溶質の濃度差とに基づき前記溶媒中を移動せしめて、前記溶質の成長層を前記基板の表面に形成せしめる工程と を含むことを特徴とする液相成長法。
IPC (3件)：
C30B 29/36 ,  H01L 21/208 ,  C30B 19/00
FI (3件)：
C30B29/36 A ,  H01L21/208 Z ,  C30B19/00 Z
Fターム (15件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CE01 ,  4G077CE04 ,  4G077CG07 ,  4G077EA06 ,  4G077EB05 ,  4G077PE05 ,  5F053AA44 ,  5F053BB38 ,  5F053DD02 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053PP20 ,  5F053RR05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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