特許
J-GLOBAL ID：201103093920156357

光起電力装置

発明者：
曽根 崇良

曽根 崇良 について

, 
中井 拓夫

中井 拓夫 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (2件)： 鳥居 洋 ,  松川 克明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-226232
公開番号（公開出願番号）：特開2011-077240
出願日： 2009年09月30日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：
【課題】 この発明は、透明導電膜の結晶粒界密度を減少させ、Naイオンの拡散を抑制し、耐Na性を向上させることを目的とする。【解決手段】 この発明は、n単結晶シリコン基板1と、このn型単結晶シリコン基板1表面に真性な非晶質シリコン層2を介して形成されたp型非晶質シリコン層3と、このp型非晶質シリコン3層上に形成された透明導電膜4と、を備えた光起電力装置であって、単結晶シリコン基板1の非晶質シリコン層2が設けられる表面は、表面の凹凸を近似直線からの標準偏差が1.0nm未満になるように規定している。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第1導電型の単結晶シリコン基板と、 この単結晶シリコン基板表面に真性な非晶質シリコン層を介して形成された他導電型の非晶質シリコン層と、 この非晶質シリコン層上に形成された透明導電膜と、を備えた光起電力装置であって、 前記単結晶シリコン基板の非晶質シリコン層が設けられる表面は、表面の凹凸を近似直線からの標準偏差が1.0nm未満になるように規定したことを特徴とする光起電力装置。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (2件)：
H01L31/04 H ,  H01L31/04 M
Fターム (22件)：
5F051AA02 ,  5F051AA05 ,  5F051BA18 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CB27 ,  5F051DA04 ,  5F051FA04 ,  5F051FA14 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15 ,  5F151AA02 ,  5F151AA05 ,  5F151BA18 ,  5F151CA03 ,  5F151CA04 ,  5F151CB27 ,  5F151DA04 ,  5F151FA04 ,  5F151FA14 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15
引用特許：
審査官引用 (2件)

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