半導体装置の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：玉城信一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-308486
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118265
特許番号：特許第4677546号
出願日： 2000年10月06日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ガラス基板上に形成された半導体膜に金属元素を添加し、前記半導体膜を結晶化し、前記基板の温度が200°C以下になるように、結晶化した前記半導体膜のソース領域及びドレイン領域中に少なくとも2回に分けて選択的に15族に属する不純物元素を添加して不純物領域を形成し、加熱処理により前記不純物領域に前記半導体膜のチャネル形成領域の前記金属元素を移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 21/20 ( 200 6.01) , H01L 21/322 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/78 627 Z , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 627 G , H01L 21/20 , H01L 21/322 R

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-097478 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平2-302043
特開平2-263435

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審査官引用 (5件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-097478 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平2-302043
特開平2-263435

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