特許
J-GLOBAL ID：201103095023067948

選択的ポリマー蒸着を用いたプラズマエッチング方法及びこれを用いたコンタクトホール形成方法

発明者：
秋 昌 熊

秋 昌 熊 について

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安 太 赫

安 太 赫 について

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鄭 相 燮

鄭 相 燮 について

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金 智 洙

金 智 洙 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (5件)： 八田 幹雄 ,  野上 敦 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-221296
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068462
特許番号：特許第3976481号
出願日： 2000年07月21日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 所定のフォトレジストパターンをマスクとして基板上の絶縁膜をプラズマを用いてエッチングするプラズマエッチング方法であって、 (a)パーフルオロカーボンまたはハイドロフルオロカーボンのガスを用い、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記絶縁膜を所定時間プラズマエッチングして前記絶縁膜にホールを形成する段階と、 (b)前記プラズマを加速させるために前記基板に印加されるバイアス電源の平均電力を、前記(a)段階のプラズマエッチング時よりも低い範囲に設定して、パーフルオロカーボンまたはハイドロフルオロカーボンのガスを用い、前記フォトレジストパターンの上部にポリマーを選択的に蒸着してポリマー層を形成する段階と、 (c)パーフルオロカーボンまたはハイドロフルオロカーボンのガスを用い、前記フォトレジストパターン及び前記ポリマー層をマスクとして前記絶縁膜をプラズマエッチングする段階と を含み、前記(a)段階で形成された絶縁膜のホールの側壁上に前記(b)段階で蒸着されたポリマーをエッチングするためのガスとしてのN2、COまたはCO2ガスを、前記(c)段階中にさらに供給することを特徴とする、選択的ポリマー蒸着を用いたプラズマエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/302 105 A ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 C
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (16件)
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