特許
J-GLOBAL ID：201103095567886853

ビア形成領域決定方法

発明者：
茂木 大樹

茂木 大樹 について


出願人/特許権者：
川崎マイクロエレクトロニクス株式会社

川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 小杉 佳男 ,  山田 正紀
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-097532
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284536
特許番号：特許第4209577号
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 多層構造を有する半導体集積回路を構成する、ある第1の層の配線と、該第1の層とは異なる第2の層の配線とをつなぐ、1つのビア又は規則的に並ぶ複数のビアからなるビアアレイが内部に形成される、層の広がり方向の領域を決定するビア形成領域決定方法において、 前記第1の層の所定の第1の配線および前記第2の層の所定の第2の配線を互いにつなぐ第1のビア又はビアアレイが形成される第1のビア形成領域と、該第1の層の該第1の配線、および該第2の層の、該第2の配線とは異なる所定の第3の配線を互いにつなぐ第2のビア又はビアアレイが形成される第2のビア形成領域とを、いずれもx軸方向に延びる辺およびy軸方向に延びる辺を持つ長方形で表される領域として定め、 該第1のビア形成領域と該第2のビア形成領域とが、所定の間隔以下の間隔で離れるかあるいは互いに重なる場合に、該第1のビア形成領域および該第2のビア形成領域を包含する長方形の新たな第3のビア形成領域を生成し、 該第1のビア形成領域および該第2のビア形成領域に代えて、生成した第3のビア形成領域を、ビア又はビアアレイが内部に形成される新たな領域として決定することを特徴とするビア形成領域決定方法。
IPC (4件)：
H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/82 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 27/04 D ,  H01L 21/82 W ,  H01L 21/90 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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