磁気抵抗センサー

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上学
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-366240
公開番号（公開出願番号）：特開2001-184613
特許番号：特許第3817399号
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基体上に、反強磁性層と、強磁性固定層と、非磁性中間層と、軟磁性自由層と、非磁性かつ導電性の酸化遮蔽層と、Ta、Nb、Ti、Hf、Wあるいはこれらの合金から選ばれた金属の酸化保護層とが順次積層された磁気抵抗効果膜を有し、前記金属酸化保護層はすべて実質的に酸化されており、前記強磁性固定層と前記軟磁性自由層との間の強磁性的結合の大きさを示す層間結合磁界が実質的にゼロとなるように前記非磁性酸化遮蔽導電層の膜厚を設定したことを特徴とする磁気ヘッド。

IPC (1件)：