特許
J-GLOBAL ID：201103096273430521

半導体装置の製造方法

発明者：
濱中 雅司

濱中 雅司 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (8件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  手島 勝 ,  藤田 篤史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-002504
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308098
特許番号：特許第3595771号
出願日： 2001年01月10日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板上に形成された下層の導電膜及び下層の埋め込み配線の上に絶縁膜を形成する第1の工程と、前記絶縁膜に、相対的に広い溝幅を持つ第1の配線溝と、該第1の配線溝と前記下層の導電膜とが平面的に重なる領域にほぼ均一に分散して配置され前記第1の配線溝と前記下層の導電膜とを連通させる複数の第1のホールと、相対的に狭い溝幅を持つ第2の配線溝と、該第2の配線溝の底部に形成され前記下層の埋め込み配線と接続する第2のホールとを形成する第2の工程と、前記複数の第1のホール、前記第1の配線溝、前記第2のホール及び前記第2の配線溝にめっき法により上層の導電膜を埋め込んで上層の埋め込み配線を形成する第3の工程とを備え、前記めっき法は、前記複数の第1のホールに進入し難い成長抑制剤が添加されためっき液を用いて行なわれることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3205 ,  C25D 3/38 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/304
FI (6件)：
H01L 21/88 K ,  C25D 3/38 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/304 622 T
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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