特許
J-GLOBAL ID：201103096344875120
Siキャリアの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-262602
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085707
特許番号：特許第4122649号
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 光ファイバー固定用のV溝(6)と、受光素子(2)の裏面または表面照射のためにV溝の先端の斜状面に形成された光路変換用反射膜(4)とを備えた光受信モジュール用Siキャリアの製造方法であって、
Si基板(21)にエッチングによりV溝(22)を形成する工程と、
V溝(22)の内部を含むSi基板(21)上全面に、光路変換のための反射膜(23)を被着する工程と、
V溝(22)の内部においてはV溝(22)の深さよりも厚い溝埋め材(24)を、Si基板(21)全面に形成する工程と、
前記溝埋め材(24)に対する平坦化によりV溝(22)内部以外の溝埋め材(24)を除去する工程と、
V溝(22)の内部に残っている溝埋め材(24)を利用したエッチングによりV溝(22)内部以外に形成されている反射膜(23)を除去する工程と、
V溝(22)の内部に残っている溝埋め材(24)を除去する工程と、
を有することを特徴とするSiキャリアの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 31/0232 ( 200 6.01)
, G02B 6/42 ( 200 6.01)
