特許

J-GLOBAL ID：201103096499219726

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-095085
公開番号（公開出願番号）：特開2011-243975
出願日： 2011年04月21日
公開日（公表日）： 2011年12月01日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。【解決手段】第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、第2の絶縁膜中に酸素原子を供給し、第2の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の絶縁膜を形成し、 前記第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、前記ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、 前記酸化物半導体膜に熱処理を行って、前記酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、 前記酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、 前記第2の絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、前記第2の絶縁膜中に酸素原子を供給し、 前記第2の絶縁膜上の前記酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (9件)：

H01L29/78 617V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 619A ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371

Fターム (110件)：

5F083AD02 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP21 ,  5F083ER21 ,  5F083GA11 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5F101BA17 ,  5F101BB01 ,  5F101BD12 ,  5F101BD30 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH16 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB06 ,  5F110BB10 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM03 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 酸化物薄膜トランジスタ、及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-225510   出願人：ブラザー工業株式会社
• 薄膜トランジスタの製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-236828   出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
• 電界効果型トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325369   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学