薄膜トランジスタの製法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：清原義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-236828
公開番号（公開出願番号）：特開2008-060419
出願日： 2006年08月31日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：

【課題】酸化物半導体薄膜層上に絶縁膜を形成した積層構造において、該酸化物半導体薄膜表面の構成元素の脱離や還元による欠陥の増大を抑制する。それにより、リーク電流の増大等の弊害を抑制することができる薄膜トランジスタの製法を提供することを解決課題とする。加えて、酸化物半導体薄膜層とゲート絶縁膜の界面特性を良好にする。それにより、リーク電流がさらに抑制された、信頼性に優れた薄膜トランジスタの製法を提供することも解決課題とする。【解決手段】基板上に酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を形成する工程と、該酸化物半導体薄膜層上に第一絶縁膜を形成する工程と、該第一絶縁膜上に第二絶縁膜を形成する工程を有する薄膜トランジスタの製法において、前記第二絶縁膜を成膜する前に、第一絶縁膜を酸化することを特徴とする薄膜トランジスタの製法である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上に酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を形成する工程と、該酸化物半導体薄膜層上に第一絶縁膜を形成する工程と、該第一絶縁膜上に第二絶縁膜を形成する工程を有する薄膜トランジスタの製法において、前記第二絶縁膜を成膜する前に、第一絶縁膜を酸化することを特徴とする薄膜トランジスタの製法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 21/283 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (7件)：

H01L29/78 617U , H01L29/78 618B , H01L29/78 627B , H01L29/78 619A , H01L21/28 301B , H01L21/283 B , H01L29/58 G

Fターム (46件)：

4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104DD37 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104GG09 , 4M104GG20 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD11 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG35 , 5F110GG45 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HL07 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-096983 出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (4件)

電界効果型トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325369 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
発光装置及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325367 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-110059 出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男

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