エピタキシャルウエハと発光ダイオード及び、その製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：林恒徳 , 土井健二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-060161
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261030
特許番号：特許第3625677号
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】単結晶基板上に、少なくともGa、Pを構成元素として含有する化合物半導体のエピタキシャル層を有する発光ダイオード用のエピタキシャルウエハであって、該エピタキシャル層中にpn接合を有し、該pn接合からエピタキシャル層表面側に2μm以上離れた領域に、バンドギャップが該pn接合部分よりも大きく、厚みが2〜200μmであるエピタキシャル層を有し,且つ該バンドギャップがpn接合部分よりも大きいエピタキシャル層が,厚み2〜60μmのグレード組成層を含むことを特徴とするエピタキシャルウエハ。

IPC (2件)：