特許

J-GLOBAL ID：201103096988500705

1-ハロゲノ-2-デオキシリボフラノース誘導体の製造方法

発明者： 谷川 広晴 ,  小松 弘典 ,  河野 敏之 ,  浅野 保 ,  深澤 信幸
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-094551
公開番号（公開出願番号）：特開2000-290289
特許番号：特許第4067226号
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 2000年10月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】下記一般式(1)(化1) (式中、R1はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1から4のアルキル基を表し、R2およびR3はそれぞれ独立に、炭素数1から4のアルキル基、炭素数1から4のアルキル基又はハロゲン原子で置換されていてもよいベンジル基、炭素数2から4の脂肪族アシル基、炭素数1から4のアルキル基又はハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族アシル基を表す。)で示される2-デオキシリボフラノース誘導体を、非プロトン性溶媒中においてハロゲン化水素ガスと反応させたのち、アシルハライドもしくはチオニルハライドと反応させることを特徴とする下記一般式(2)(化2) (式中、R2およびR3は一般式(1)の場合と同義であり、Xはハロゲン原子を表す。)で示される1-ハロゲノ-2-デオキシリボフラノース誘導体の製造方法。

IPC (2件)：

C07H 13/08 ( 200 6.01) ,  C07H 15/04 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C07H 13/08 ,  C07H 15/04 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

• デオキシリボフラノシルハライド誘導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-016430   出願人：小林香料株式会社
• 2’-デオキシ-5-トリフルオロメチル-β-ウリジン誘導体の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-134775   出願人：三井東圧化学株式会社