半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-087670
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274087
特許番号：特許第4463374号
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】絶縁表面上にエチル(C2H5)基、プロピル(C3H7)基、ブチル(C4H9)基、ビニル(C2H3)基、フェニル(C6H5)基、CF3基のいずれかを含有する酸化シリコンから成る断熱層を形成する第1の工程と、前記断熱層上に第1の絶縁層を形成する第2の工程と、前記第1の絶縁層上に非晶質構造を有する半導体膜を形成する第3の工程と、前記非晶質構造を有する半導体膜にレーザー光を照射して結晶構造を有する半導体膜を形成する第4の工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：