III族窒化物半導体結晶層の成長方法およびIII族窒化物半導体結晶層を具備する半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柿沼伸司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-036830
公開番号（公開出願番号）：特開2000-235956
特許番号：特許第3293583号
出願日： 1999年02月16日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】珪素(Si)単結晶基板上に、200°C以上700°C以下の温度で、気相成長法により、リン化硼素(組成式:BP)からなる第1の緩衝層を成長する工程と、該第1の緩衝層上に、750°C以上1200°C以下の温度で、気相成長法により、リン化硼素からなる第2の緩衝層を成長する工程と、該第2の緩衝層上に、気相成長法により、一般式AlpGaqInrN(0≦p≦1、0≦q≦1、0≦r≦1、p+q+r=1)で表されるIII族窒化物半導体からなる結晶層を成長する工程とを有するIII族窒化物半導体結晶層の成長方法に於いて、前記第2の緩衝層を成長した後、アンモニア(NH3)またはヒドラジン(N2H4)類を含む雰囲気中で、該第2の緩衝層の表面のリン化硼素の一部を窒化し、その後該第2の緩衝層上に、前記III族窒化物半導体からなる結晶層を成長させることを特徴とするIII族窒化物半導体結晶層の成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

III族窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-154116 出願人：寺嶋一高
特開昭52-064873
特開平3-034551

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