特許

J-GLOBAL ID：201103097572994322

シリコン表面処理および素子作製方法

発明者： 渡部 平司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-371496
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189289
特許番号：特許第3386116号
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 シリコン表面より酸化膜を除去した後、該シリコン表面でエッチング反応及び酸化反応が同時に進行する温度及び酸素分圧の条件下に該シリコン表面を暴露し、該シリコン表面に微細な凹凸を形成するシリコンの表面処理方法。

IPC (8件)：

H01L 21/302 201 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 21/302 201 A ,  H01L 29/06 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 29/78 371

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体材料の処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-223878   出願人：富士通株式会社
• 熱酸化膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-196099   出願人：日本真空技術株式会社
• 特開昭64-050564
  
• 特開昭7-066193
  

審査官引用 (4件)

• 半導体材料の処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-223878   出願人：富士通株式会社
• 熱酸化膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-196099   出願人：日本真空技術株式会社
• 特開昭64-050564
  
• 特開昭7-066193