特許

J-GLOBAL ID：201103097657576015

真空熱処理装置および半導体デバイスの製造方法

発明者： 柴垣 真果 ,  関口 篤史 ,  土井 浩志 ,  真下 かおり ,  流石 勇一
出願人/特許権者： キヤノンアネルバ株式会社
代理人 (7件)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  朝日 伸光 ,  三山 勝巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-297950
公開番号（公開出願番号）：特開2011-137596
出願日： 2009年12月28日
公開日（公表日）： 2011年07月14日
要約：

【課題】真空熱処理装置のシーリング用Oリングの劣化を防止する。【解決手段】加熱容器(3)を排気ポンプへ結合し且つ真空処理チャンバ内に収容する接合チャンバの開口周囲フランジ(13)と加熱容器(3)の開口周囲フランジ(15)との接合面はOリング(21)でシーリングされる。接合チャンバの開口フランジ(13)の開口縁にひさし状の突起部(24)を設け、約1μ程の接合面の隙間から輻射熱が入りOリングを加熱しないような構成によって、Oリングの劣化を防止している。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

真空熱処理装置において、

IPC (4件)：

F27B 5/05 ,  H05B 1/00 ,  H05B 7/00 ,  F27D 11/08

FI (4件)：

F27B5/05 ,  H05B1/00 ,  H05B7/00 Z ,  F27D11/08 Z

Fターム (16件)：

3K058AA41 ,  3K058BA19 ,  3K084DA00 ,  4K061AA01 ,  4K061BA11 ,  4K061DA05 ,  4K061DA09 ,  4K061FA07 ,  4K061FA12 ,  4K063AA05 ,  4K063AA16 ,  4K063BA12 ,  4K063CA03 ,  4K063CA05 ,  4K063FA51 ,  4K063FA57

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 縦型気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-122273   出願人：東芝機械株式会社
• 背面電子衝撃加熱装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-109446   出願人：助川電気工業株式会社

審査官引用 (2件)

• 縦型気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-122273   出願人：東芝機械株式会社
• 背面電子衝撃加熱装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-109446   出願人：助川電気工業株式会社