特許
J-GLOBAL ID:201103097685108841

パターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前田 弘 (外7名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-315598
公開番号(公開出願番号):特開2002-182394
特許番号:特許第3305309号
出願日: 2000年02月18日
公開日(公表日): 2002年06月26日
請求項(抜粋):
【請求項1】 吸収波長ピークを有しており、該吸収波長ピークを長波長側にシフトさせる原子が結合してなるベース樹脂を含む化学増幅型レジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に、Xe2レーザ光、F2レーザ光、Kr2レーザ光、ArKrレーザ光又はAr2レーザ光を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光された前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを備え、前記原子は、フッ素原子であることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件):
G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (3件):
G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 515 B
引用特許:
出願人引用 (4件)
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