特許
J-GLOBAL ID:201103098470580015
ガス分離体の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
渡邉 一平
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-393850
公開番号(公開出願番号):特開2003-190748
特許番号:特許第4112856号
出願日: 2001年12月26日
公開日(公表日): 2003年07月08日
請求項(抜粋):
【請求項1】 多孔質基体にガス分離能を有するパラジウム若しくはパラジウムを含有する合金が成膜されてなるガス分離体の製造方法であって、少なくとも、
前記多孔質基体の一片面を、他片面との圧力差を伴わずに、活性化金属を含有する溶液に浸漬させる活性化工程と、
前記多孔質基体の一片面を、他片面との圧力差を伴って、前記ガス分離能を有するパラジウム若しくはパラジウムを含有する合金を含有する溶液に浸漬させる化学メッキ工程と、を有し、
前記多孔質基体の一片面において、前記ガス分離能を有するパラジウム若しくはパラジウムを含有する合金が、前記多孔質基体内へ1〜2μmの深さで侵入し、前記多孔質基体の微小欠陥を閉塞させつつ成膜されることを特徴とするガス分離体の製造方法。
IPC (7件):
B01D 71/02 ( 200 6.01)
, B01D 53/22 ( 200 6.01)
, B01D 69/10 ( 200 6.01)
, C01B 3/56 ( 200 6.01)
, C23C 18/18 ( 200 6.01)
, C23C 18/31 ( 200 6.01)
, C23C 18/42 ( 200 6.01)
FI (7件):
B01D 71/02 500
, B01D 53/22
, B01D 69/10
, C01B 3/56 Z
, C23C 18/18
, C23C 18/31 A
, C23C 18/42
引用特許: