転写マスクの製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-167666
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351840
特許番号：特許第3809754号
出願日： 2000年06月05日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 2枚の単結晶シリコンウェハをシリコン酸化膜で貼り合わせたSOI基板を用いて転写マスクを製造する方法において、支持基板となる下部単結晶シリコンウェハに開口部を形成した後、前記シリコン酸化膜を除去し、次いで、少なくとも、前記開口部に面する上部単結晶シリコンウェハの表面と、下部単結晶シリコンウェハの底面とに導電膜を形成した後、上部単結晶シリコンウェハに転写マスクパターンを形成し、次いで前記導電膜を除去する工程を少なくとも備えて成ることを特徴とする転写マスクの製造方法。

IPC (2件)：