特許
J-GLOBAL ID：201103098574889123

エッチングマスク及びエッチングマスクを用いたコンタクトホールの形成方法並びにその方法で形成した半導体装置

発明者：
上田 靖彦

上田 靖彦 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 机 昌彦 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-342031
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160547
特許番号：特許第3430091号
出願日： 1999年12月01日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 無機系の絶縁膜および有機系の絶縁膜の積層膜からなる層間膜を挟んで配設される配線層を接続するためのコンタクトホールの形成方法であって、 前記コンタクトホールを形成する層間膜上にシリコンカーバイドの薄膜を形成する工程と、 前記シリコンカーバイド上にレジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンをマスクとして、露出した前記シリコンカーバイドをドライエッチングする工程と、 前記レジストパターンをドライ又はウェットエッチングにより除去する工程と、前記シリコンカーバイドをマスクとして前記層間膜にコンタクトホールを形成する工程と、を少なくとも有し、前記層間膜が導電膜の層を含むことを特徴とするコンタクトホールの形成方法。
IPC (1件)：
H01L 21/3065
FI (1件)：
H01L 21/302 105 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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