特許
J-GLOBAL ID：201103098696763589

半導体装置および半導体装置を用いた回路

発明者：
村上 善則

村上 善則 について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 三好 秀和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-087527
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289874
特許番号：特許第4045749号
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ドリフト領域である第1導電型の半導体基板の一主面に接する第1導電型のソース領域と、 前記主面に接して前記ソース領域を挟み込むように配置された溝と、 前記溝の内部には前記ソース領域と同電位に保たれると共に絶縁膜によって前記ドリフト領域と絶縁され、かつ、前記絶縁膜を介して隣接する前記ドリフト領域に空乏領域を形成するような仕事関数の導電性材料から成る固定電位絶縁電極と、 前記ドリフト領域の一部であって、前記固定電位絶縁電極によって挟み込まると共に、前記固定電位絶縁電極の周囲に形成された前記空乏領域によって多数キャリアの移動を阻止するポテンシャル障壁が形成されたチャネル領域と、 前記固定電位絶縁電極を取り囲む前記絶縁膜の界面に少数キャリアを導入して反転層を形成して前記固定電位絶縁電極から前記ドリフト領域への電界を遮蔽し、前記チャネル領域に形成された前記ポテンシャル障壁を減少もしくは消滅させてチャネルを開くべく、前記絶縁膜に接し、かつ、前記ソース領域には接しない第2導電型のゲート領域と、 前記ドリフト領域に接すると共に、前記ソース領域および前記ゲート領域に接しない第1導電型のドレイン領域と、 を備えた半導体装置において、 前記ドレイン領域と前記ドリフト領域とが接する界面近傍であって、ドレイン領域よりもソース領域及びゲート領域の方が高電位であり、ソース領域からドレイン領域に電流が流れている時に少数キャリア分布が最大となる領域に、前記少数キャリアを対消滅させる欠陥領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/80 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 29/80 V ,  H01L 29/78 652 G ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 654 C ,  H01L 29/78 658 H
引用特許：
審査官引用 (2件)

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