半導体装置の作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-235084
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102373
特許番号：特許第3859946号
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】被処理基板を加熱するための第1の処理室と、前記被処理基板にレーザー光を照射するための第2の処理室と、前記第1および第2の処理室に連結され、ロボットアームを備えた搬送室と、該搬送室に連結され、前記被処理基板を複数納めることが可能なカセットを搬入および搬出するための搬入搬出室とを有する装置を用いた半導体装置の作製方法であって、前記ロボットアームにより、前記搬入搬出室に搬入されたカセットからシリコン膜が形成された基板を一枚ずつ取り出して、前記第1の処理室に搬送し、前記第1の処理室に搬入された前記基板を水素雰囲気中において加熱処理し、前記加熱処理した前記基板を前記ロボットアームによって前記第1の処理室から取り出して、前記第2の処理室に搬送し、前記第2の処理室において酸素を含む雰囲気中において前記基板上のシリコン膜にレーザー光を照射し、前記レーザー光を照射した後に、前記ロボットアームにより前記基板を前記第2の処理室から前記搬入搬出室に置かれたカセットに納めることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ( 200 6.01) , H01L 21/20 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/316 A , H01L 21/20 , H01L 29/78 617 V

引用特許：

出願人引用 (7件)

レーザーアニール方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-152477 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
スパツタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-197239 出願人：ソニー株式会社
特開平4-022127

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審査官引用 (6件)

レーザーアニール方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-152477 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
スパツタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-197239 出願人：ソニー株式会社
特開平4-063414

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