特許
J-GLOBAL ID：201103099421070288

定電圧ダイオード

発明者：
安藤 秀幸

安藤 秀幸 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (6件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-377379
公開番号（公開出願番号）：特開2002-185016
特許番号：特許第4126872号
出願日： 2000年12月12日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】中央に配置され、第1端面及び該第1端面に対向した第2端面、更に前記第1及び第2端面を接続する第1外周面を有した第1導電型の第1半導体領域と、 チップ外周面の一部として機能する第2外周面と前記第1端面より広い上面を有し、該上面の一部が前記第1端面を介して前記第1半導体領域に接合し、底面に凹部が形成された第1導電型の第2半導体領域と、 前記チップ外周面の他の一部として機能する第3外周面と前記第2端面より広い下面を有し、該下面の一部が前記第2端面を介して前記第1半導体領域に接合した第1導電型とは反対導電型となる第2導電型の第3半導体領域と、 前記チップ外周面の更に他の一部として機能し、前記第2及び第3外周面とで前記チップ外周面を構成するように接続する第4外周面、並びに前記第1外周面に接合した内周面を有し、且つ前記第2半導体領域及び第3半導体領域に挟まれた、前記第1半導体領域よりも低不純物密度で第1導電型の第4半導体領域と、 前記凹部を介して、前記第2半導体領域の底面に前記第2半導体領域とオーミック接触するように接合された第1主電極層 とを備え、前記第3半導体領域と前記第4半導体領域とのなすpn接合界面が、前記チップ外周面に露出し、前記第1半導体領域と前記第3半導体領域とのpn接合の降伏電圧が所望の値になるように、前記第1半導体領域の不純物密度を調整したことを特徴とする定電圧ダイオード。
IPC (5件)：
H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 29/74 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 29/91 C ,  H01L 29/06 301 D ,  H01L 29/74 G ,  H01L 29/78 652 N ,  H01L 29/91 A
引用特許：
出願人引用 (8件)
  • 特開平4-127480
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-028006   出願人：松下電子工業株式会社
  • 特開昭58-085572
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審査官引用 (10件)
  • 特開昭58-085572
  • 特開平4-127480
  • 特公昭48-035865
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