パターン形状補正方法、パターン形状算出方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264533
公開番号（公開出願番号）：特開2001-100389
特許番号：特許第3267587号
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】リソグラフィーによりマスクパターンを形成する際に、当該パターンの形状を補正する方法であって、前記マスクパターンを方形ブロックに分割し、個々の方形ブロックに対して座標を与える第1のステップと、前記方形ブロックを前記座標に従って順次選択する第2のステップと、前記第2のステップにおいて選択された前記方形ブロックのコーナー部が凹角であるか判断し、前記コーナー部の両側の位置の少なくとも一方に他のブロックにより構成されるパターンが存在せず、かつ前記コーナー部の対角の位置に他のブロックにより構成されるパターンが存在する場合には、前記コーナー部を凹角として認識し消却ブロックを加える第3のステップと、前記第2のステップにおいて選択された前記方形ブロックのコーナー部が凸角であるか判断し、前記コーナー部の両側及び対角の位置に他のブロックにより構成されるパターンが存在しない場合には、前記コーナー部を凸角として認識し補填ブロックを加える第4のステップと、前記コーナー部が凹角でも凸角でもないと判断した場合には処理を施さないようにする第5のステップと、全ての方形ブロックの選択がされたか判断し、全て選択していれば終了し、全て選択していなければ前記第2のステップに戻る第6のステップとを有することを特徴とするパターン形状補正方法。

IPC (4件)：

G03F 1/08 , G06F 17/50 , H01L 21/027 , H01L 27/10 431

FI (4件)：

G03F 1/08 A , H01L 27/10 431 , G06F 15/60 658 M , H01L 21/30 502 P

引用特許：

出願人引用 (2件)

改善された光学的近接補正システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-086393 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
レチクルの作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-169794 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (2件)

改善された光学的近接補正システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-086393 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
レチクルの作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-169794 出願人：富士通株式会社

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