特許
J-GLOBAL ID：201103099712921129
半導体デバイス製造方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
坂口 博
, 市位 嘉宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-398281
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217281
特許番号：特許第3979565号
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】準備された半導体基板にトレンチを形成し、該半導体基板を設置した系内に原料ガスを導入しCVD法によりトレンチ内にCVD膜を形成する半導体デバイス製造方法において、
(1)反応系内の圧力と、系内に流入する原料ガスの量及び/または系外へ排出するガスの量とを検出するステップと、
(2)該検出された圧力値を予め設定された上限値と比較するステップと、
(3)検出圧力値が、上限値より小さい場合、系内へのガス流入量と系外へのガス排出量とを比較し検出圧力値が上限値に近似するように、系内へのガス流入量を増加および/または系外への排出量を減少させて調節するステップと、
(4)該検出圧力値を上限値とほぼ同値で一定時間保持後、検出圧力値と比較する値を予め設定された下限値に変換するステップと、
(5)該検出圧力値が、下限値より大きい場合、下限値に検出圧力値が近似するように系内へのガス流入量を減少および/または系外へのガス排出量を増加させて調節するステップと、
(6)該検出圧力値が下限値とほぼ同値になった時点で、検出圧力値と比較する値を上限値に変換するステップと、
(7)(1)〜(6)記載の動作を繰り返して、系内の圧力が周期的に増減されるステップからなる系内のガス圧力制御方法を含む、半導体デバイス製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/76 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
H01L 21/76 L
, H01L 21/205
, H01L 21/31 B
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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