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J-GLOBAL ID：201202124028318985   整理番号：12A1375338

Beをドープした低温MBE成長GaAs膜及びGaAs/AlAs MQWにおける吸収飽和の過渡特性

著者 (5件)： 佐久間康 (千葉大 工) ,  伊東雅史 (千葉大 工) ,  岡本紘 (千葉大 工) ,  奥野剛史 (筑波大 物理学系) ,  舛本泰章 (筑波大 物理学系)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 47th  号： 3  ページ： 1343  発行年： 2000年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (9件)： Be ,  ドープ ,  低温 ,  MBE成長 ,  GaAs ,  AlAs ,  MQW ,  飽和 ,  過渡特性