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J-GLOBAL ID：201202188212494786   整理番号：12A1455654

熱りん酸ウェットエッチングを用いたAlN/GaN MISFETの作製

著者 (5件)： 井手利英 (明治大) ,  清水三聡 (産業技術総合研) ,  SHEN X-Q (産業技術総合研) ,  奥村元 (産業技術総合研) ,  根本俊雄 (明治大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 62nd  号： 1  ページ： 262  発行年： 2001年09月11日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： りん酸 ,  ウェットエッチング ,  AlN ,  GaN ,  MISFET ,  作製