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J-GLOBAL ID：201202200392240094   整理番号：12A1589307

ウェハレベルであらかじめ塗布されたフィルム接着剤を有する低温接置とフィラートラップ抑制ボンディングプロセス

Low Temperature Touch Down and Suppressing Filler Trapping Bonding Process with a Wafer Level Pre-applied Underfilling Film Adhesive

著者 (4件)： NONAKA Toshihisa (Toray Ind. Inc., Shiga, JPN) ,  NIIZEKI Shoichi (Toray Ind. Inc., Shiga, JPN) ,  ASAHI Noboru (Toray Ind. Inc., Shiga, JPN) ,  FUJIMARU Koichi (Toray Ind. Inc., Shiga, JPN)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 62nd Vol.1  ページ： 444-449  発行年： 2012年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3次元パッケージ対応のため,アンダーフィルとして事前に非導電性フイルム(NCF)を積層するプロセスが開発されている。この場合,ボンディング両面の材料トラップの抑制が必要になる。本報告では,ウエハレベルNCFを用いて,低温でチップを接置し,接合面での材料トラップを抑制するフリップチップボンディングプロセスを検討した。バンプ上部のNCFをビット切削技術を用いて機械的に除去し,バンプはんだ面を露出し,かつウエハ平面を平坦化した。これを上部チップとして設置し,NCFを溶融・フローして位置を固着し,そして温度上昇してボンディングした。同時4チップボンディングにより,一括ボンディングの可能性を証明できた。PCT(プレッシャークッカーテスト)を一括ボンディングの試料で実施した。接合形成時間を25秒から5秒へ短縮することにより,銅のはんだへの拡散を抑制した。PCT耐久性の高い接合を形成し,亀裂と材料トラップのないことを断面観察で確認した。

シソーラス用語： *フェースボンディング ,  ウエハ【IC】 ,  *接着剤 ,  超小形回路技術 ,  切削 ,  改変 ,  試験 ,  耐久性 ,  接合
準シソーラス用語： アンダーフィル ,  *フリップチップボンディング ,  高温高湿試験 ,  *非導電性接着剤 ,  平坦化

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： フィルム接着剤 ,  低温 ,  フィラー ,  トラップ ,  ボンディング ,  プロセス