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J-GLOBAL ID：201202201287193877   整理番号：12A0764204

新しい種類の芳香族炭化水素であるピセンを有する単結晶電界効果トランジスタの特徴

Characteristics of Single Crystal Field-Effect Transistors with a New Type of Aromatic Hydrocarbon, Picene

著者 (8件)： KAWAI Nobuyuki (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  EGUCHI Ritsuko (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  GOTO Hidenori (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  AKAIKE Kouki (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  KAJI Yumiko (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  KAMBE Takashi (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  FUJIWARA Akihiko (Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., Hyogo, JPN) ,  KUBOZONO Yoshihiro (Okayama Univ., Okayama, JPN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 14  ページ： 7983-7988  発行年： 2012年04月12日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ピセン単結晶(SC)FETの輸送特性を報告した。ゲート誘電体のParylene被覆はピセンSC FETのFET性能を増強し,Parylene被覆SiO₂ゲート誘電体を有するピセンSC FETは高い正孔注入障壁に関係なく4.7x10^-1cm²V^-1という電界効果移動度(μ)を示した。Parylene被覆HfO₂ゲート誘電体を有するピセンSC FETでは,二次元測定で1cm²V^-1s^-1超のμ値を示した。このFETでは電子アクセプタ,テトラシアノキノジメタン(TCNQ)をソース/ドレインAu電極界面に挿入した。オクタンチオールで修飾したAu電極は底面接触構造での操作を可能にした。TCNQとオクタンチオールによる界面制御はソース/ドレイン電極とピセンSC間の接触を増強した。イオン液体ゲート絶縁体(bmim[PF₆])を用いたピセンSC FETはμ=1.8×10^-1cm²V^-1s^-1と絶対閾電圧1.9Vを示した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *単結晶 ,  *キャリア移動度 ,  イオン液体 ,  ポリキシリレン ,  ゲート【半導体】 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  電極 ,  電流電圧特性 ,  半導体 ,  電圧 ,  脂環式化合物 ,  ニトリル ,  ジエン ,  キノイド化合物 ,  芳香族縮合炭化水素
準シソーラス用語： Parylene ,  *電界効果移動度

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  四環以上の炭素縮合多環化合物  (CF06090C)

物質索引 (4件)： 1-オクタンチオール ,  Bmim・PF6 ,  テトラシアノキノジメタン ,  ピセン

タイトルに関連する用語 (4件)： 芳香族炭化水素 ,  ピセン ,  単結晶 ,  電界効果トランジスタ