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J-GLOBAL ID：201202201383317161   整理番号：12A1367540

HDVIP素子用MBE HgCdTe:米国のHgCdTe FPA産業における水平統合

MBE HgCdTe for HDVIP Devices: Horizontal Integration in the US HgCdTe FPA Industry

著者 (5件)： AQARIDEN F. (EPIR Technologies, Inc., 590 Territorial Drive, Ste B, 60440, Bolingbrook, IL, USA) ,  ELSWORTH J. (EPIR Technologies, Inc., 590 Territorial Drive, Ste B, 60440, Bolingbrook, IL, USA) ,  ZHAO J. (EPIR Technologies, Inc., 590 Territorial Drive, Ste B, 60440, Bolingbrook, IL, USA) ,  GREIN C.H. (EPIR Technologies, Inc., 590 Territorial Drive, Ste B, 60440, Bolingbrook, IL, USA) ,  SIVANANTHAN S. (EPIR Technologies, Inc., 590 Territorial Drive, Ste B, 60440, Bolingbrook, IL, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 41  号： 10  ページ： 2700-2706  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HgCdTeの分子ビームエピタクシー(MBE)成長は,焦点面アレイ(FPA)製作のために,赤外線センサ設計をほとんど無制限に選択できる,多層素子構造の製作を可能にした。HgCdTeは,赤外線光子検出器市場におけるその優越性を説明する,二つの主要な利点をもたらした。HgCdTeを用いると,どんな競合材料を用いるよりも,材料の単位体積当たりの熱生成率が低く,赤外線に対する光子吸収の量子効率が高い-それは,0.99もの高い量子効率を有する素子を生み出す。最近,EPIR TechnologiesとDRS Infrared Technologiesは,以下の共同研究および試験に合意した:それらは,1)通常液相エピタクシー材料で製作される,高密度の垂直相互接続フォトダイオード(HDVIPs)の製作に対する,MBE HgCdTe利用の実行可能性,および2)素子およびアレイの製作のために,EPIRがDRSにMBE材料を提供することによる,水平統合の潜在的な利点である。チームは,DRSによって多量に用いられる,保護膜-吸収体-保護膜構造を設計および開発した。本報では,MBE HgCdTeから製作されるHDVIP素子とアレイの特性,および産業界における水平統合の予想される利点について調査した。材料の成長,素子の製作,および試験結果について述べた。Copyright 2012 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 赤外線 ,  *光検出器アレイ ,  *テルル化カドミウム水銀 ,  第12族元素化合物 ,  フォトダイオード ,  *MBE成長 ,  光検出器 ,  薄膜成長
準シソーラス用語： HDVIP ,  HgCdTe

分類 (3件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  有機第11族・有機第12族元素化合物  (CF09052N)

タイトルに関連する用語 (5件)： MBE ,  HgCdTe ,  米国 ,  産業 ,  統合