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J-GLOBAL ID:201202201841553023   整理番号:12A1440884

優れた開回路電圧と集光器としての動作を持つInGaN/GaNを基本とする多重量子井戸型太陽電池

InGaN/GaN Multiple Quantum Well Solar Cells with Good Open-Circuit Voltage and Concentrator Action
著者 (8件):
資料名:
巻: 51  号: 9,Issue 1  ページ: 092301.1-092301.4  発行年: 2012年09月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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有機金属化学蒸着によって成長させたチップサイズの大きい(2.5×2.5mm2)InGaN/GaNの多重量子井戸(MQW)から成る太陽電池の光起電力特性を,集光したAM1.5Gsunの光照射下で研究した。1sunの光照射下における青色発光InGaN/GaN-MQW型太陽電池の開回路電圧は高く,2.31eVであることが分かった。開回路電圧が高いのは,主に10~19mA/cm2という非常に低い逆方向飽和電流密度に帰着する。太陽光の強度が増すと,開回路電圧と短絡電流密度は増大し,190sunの光照射下において観測されるピーク値は2.50Vに達することが分かった。この結果から,この素子は集光器への応用が期待される。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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太陽電池 

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