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J-GLOBAL ID：201202202021320535   整理番号：12A0269305

位置制御[100]InPナノワイヤアレイ

Position-controlled [100] InP nanowire arrays

著者 (9件)： WANG Jia (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD) ,  PLISSARD Sebastien (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD) ,  HOCEVAR Moiera (Kavli Inst. of Nanoscience, Delft Univ. of Technol., 2628CJ Delft, NLD) ,  VU Thuy T. T. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD) ,  ZEHENDER Tilman (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD) ,  IMMINK George G. W. (Philips Innovation Services Eindhoven, High Tech Campus 11, 5656AE Eindhoven, NLD) ,  VERHEIJEN Marcel A. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD) ,  HAVERKORT Jos (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD) ,  BAKKERS Erik P. A. M. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 5  ページ： 053107  発行年： 2012年01月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低圧有機金属気相エピタキシーを用いた気液固成長モードにおけるInP(100)基板上の垂直立[100]閃亜鉛鉱InPナノワイヤ(NW)アレイの成長を研究した。これらのNWの精密位置決めを電子ビームリソグラフィーによって実証した。垂直NW収率は各種パラメータによって制御することができる。56%の最大収率が得られ,横成長によって起こるテーパー付けは,その場HClエッチングによって防止できる。走査電子顕微鏡,高分解能透過電子顕微鏡,マイクロ光ルミネセンスを用いてNW特性を研究した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 位置制御 ,  *リン化インジウム ,  *ナノワイヤ ,  アレイ ,  LPCVD ,  *MOCVD ,  気液固反応 ,  基板 ,  垂直 ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  位置決め ,  電子ビームリソグラフィー ,  収率 ,  勾配 ,  塩酸 ,  エッチング ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： マイクロ光ルミネセンス ,  高分解能透過電子顕微鏡 ,  成長モード

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 位置制御 ,  InP ,  ナノワイヤアレイ