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J-GLOBAL ID：201202202702738767   整理番号：12A1337009

相変化メモリ用途のGeTe合金の電気的及び熱的な伝導機構

Electrical and heat conduction mechanisms of GeTe alloy for phase change memory application

著者 (5件)： LAN Rui (Dep. of Metallurgy and Ceramics Sci., Tokyo Inst. of Technol., Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, JPN) ,  ENDO Rie (Dep. of Metallurgy and Ceramics Sci., Tokyo Inst. of Technol., Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, JPN) ,  KUWAHARA Masashi (Photonics Res. Inst., National Institutes of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Higashi, Tsukuba-shi ...) ,  KOBAYASHI Yoshinao (Dep. of Metallurgy and Ceramics Sci., Tokyo Inst. of Technol., Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, JPN) ,  SUSA Masahiro (Dep. of Metallurgy and Ceramics Sci., Tokyo Inst. of Technol., Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 5  ページ： 053712-053712-6  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeTe合金は,相変化メモリへの応用の有望な候補の一つとして注目を集めている。本研究では,GeTe合金の電気抵抗率と熱伝導率を,4端子法とホットストリップ法により温度の関数としてそれぞれ決定した。温度が高くなると共に電気抵抗率が増加し,熱伝導率は単調に減少する。つまり,自由電子が熱伝導を支配している可能性がある。電気抵抗率は,773Kで保持中に時間の経過とともに徐々に増加し,熱伝導率は電気抵抗率の変化に対応して減少する。このことは,サンプル内に少量の高温相が存在する可能性を示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ゲルマニウム化合物 ,  *テルル化物 ,  *不揮発性メモリ ,  *熱伝導率 ,  *電気抵抗率 ,  精密測定 ,  *PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： *相変化メモリ ,  *テルル化ゲルマニウム ,  四端子法

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 相変化メモリ ,  用途 ,  伝導