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J-GLOBAL ID：201202202987211520   整理番号：12A0363650

Si_1-xGe_x表面の熱窒化の後のN原子の挙動

Behavior of N atoms after thermal nitridation of Si_1-xGe_x surface

著者 (4件)： KAWASHIMA Tomoyuki ,  SAKURABA Masao ,  TILLACK Bernd ,  MUROTA Junichi
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 8  ページ： 3392-3396  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si_1-xGe_x(100)表面のNH₃雰囲気,400°Cの熱窒化の後のN原子の挙動を研究した。X線光電子分光法(XPS)の結果はGe分率を増やすことで,窒化後のN原子の量が増加する傾向にあり,そして400°CのH₂熱処理によって,Ge原子と結合したN原子の量は減少することを示した。窒化したSi_0.3Ge_0.7(100)で,NとSi原子の間の結合は,Si₃N₄構造を形成しその量は窒化したSi(100)のSi₃N₄構造より大きい。角度分解XPS測定は窒化したSi(100),Si_0.3Ge_0.7(100)とGe(100)で,N原子が最外表面だけでなくまた表面下の特に数原子層のより深い領域に存在することを示した。.これらの結果から,Si,Si_0.3Ge_0.7とGeの数原子層を通したN原子の侵入が窒化の間に起こり,そして,窒化したSi_0.3Ge_0.7(100)のためのN原子が優位にSi₃N₄構造を形成することを示唆した。これは400°C H₂熱処理の間でさえ安定して残る。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化 ,  窒素 ,  X線光電子分光法 ,  熱処理 ,  窒化ケイ素 ,  *ケイ素 ,  *固溶体 ,  半導体薄膜 ,  *ゲルマニウム ,  *表面反応 ,  アンモニア

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無触媒反応  (CB06070U)

タイトルに関連する用語 (3件)： 窒化 ,  N原子 ,  挙動