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J-GLOBAL ID：201202203992616194   整理番号：12A1771011

スパッタリング法により作製したBi,Pb-2223薄膜の臨界電流密度

著者 (6件)： 土屋啓輔 (熊本大 工) ,  吉村兆貢 (熊本大 工) ,  末吉哲郎 (熊本大 工) ,  藤吉孝則 (熊本大 工) ,  松本明善 (物質・材料研究機構) ,  北口仁 (物質・材料研究機構)
資料名： 低温工学・超電導学会講演概要集  (低温工学・超電導学会研究発表会講演概要集)
巻： 86th  ページ： 75  発行年： 2012年11月07日 
JST資料番号： G0564B  ISSN： 0919-5998  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 長尺のBi2223線材の開発が進んでいるが,更なる高J_c化は必須の課題である。そこで本研究では,Bi2223超伝導体への有効な磁束ピンニングを目指して,Bi2223薄膜の臨界電流密度特性を測定した。スパッタリング法を用いて作製したBi2223薄膜をBi,Pb2223組成の焼結体中で熱処理することで,Tczero=105KのBi,Pb2223薄膜が得られた。本発表では,Bi,Pb2223薄膜の臨界電流密度J_cの磁場依存性や磁場角度依存性を調査したので報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *スパッタ蒸着 ,  高温超伝導体 ,  *超伝導薄膜 ,  *銅化合物 ,  *酸化物 ,  *ビスマス化合物 ,  鉛化合物 ,  *臨界電流密度 ,  熱処理 ,  焼結体 ,  磁場効果 ,  角度依存性

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (6件)： スパッタリング法 ,  作製 ,  Bi ,  Pb ,  薄膜 ,  臨界電流密度