文献

J-GLOBAL ID：201202204410418969   整理番号：12A1451316

ポリ(テトラフルオロエチレン-co-ヘキサフルオロプロピレン)(FEP)中のイオンビーム誘起現象のESR研究

ESR study for ion beam induced phenomena in poly (tetrafluoroethylene-co-hexafluoropropylene) (FEP)

著者 (4件)： YOSHIKAWA Taeko (Res. Inst. for Sci. and Engineering (RISE), Waseda Univ., 3-4-1, Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-0072, JPN) ,  OSHIMA Akihiro (The Inst. of Scientific and Industrial Res. (ISIR), Osaka Univ., 8-1, Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  MURAKAMI Takeshi (National Inst. of Radiological Sciences (NIRS), 4-9-1, Anagawa, Inage, Chiba 263-8555, JPN) ,  WASHIO Masakazu (Res. Inst. for Sci. and Engineering (RISE), Waseda Univ., 3-4-1, Okubo, Shinjuku, Tokyo 169-0072, JPN)
資料名： Radiation Physics and Chemistry  (Radiation Physics and Chemistry)
巻： 81  号： 12  ページ： 1904-1909  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： D0627A  ISSN： 0969-806X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の高エネルギーイオンビーム(6MeV/u)による照射後室温大気中でのXバンドESR分光によりポリ(テトラフルオロエチレン-co-ヘキサフルオロプロピレン)(FEP)中に誘起した捕獲ラジカルを観察した。照射は積層したFEP膜に対して真空中室温で1.0×10⁹から1.0×10¹¹イオン/cm²のフルエンスで実施した。全てのESRスペクトルは,イオンの種類や侵入深さとは無関係にそれぞれのFEP膜中にペルオキシラジカルの存在を示した。それぞれのイオンビームについて得たラジカル濃度の深さプロフィルは,ほとんどその阻止能に対応していた。捕獲ラジカル濃度は阻止能に強く依存した。イオンビーム照射による捕獲ラジカルのG値は,阻止能が増すと減り,γ線照射の場合の値より小さかった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *共重合体 ,  *イオン照射 ,  *ESR【磁気共鳴】 ,  *捕獲 ,  *ラジカル ,  フルエンス ,  *阻止能 ,  G値 ,  ポリテトラフルオロエチレン ,  *FEP樹脂 ,  1-10MeV ,  放射線分解
準シソーラス用語： FEP【プラスチック】

分類 (4件)： イオンとの相互作用  (BK16070Z) ,  有機化合物のEPR  (BM07024U) ,  高分子の分解,劣化  (CG03010A) ,  放射線化学反応  (CB09020M)

物質索引 (2件)： ヘキサフルオロプロピレン ,  ペルオキシラジカル

タイトルに関連する用語 (9件)： テトラフルオロエチレン ,  CO ,  ヘキサフルオロプロピレン ,  FEP ,  イオンビーム ,  誘起 ,  現象 ,  ESR ,  研究