文献

J-GLOBAL ID：201202204495297740   整理番号：12A1306342

レーザ穿孔で作製されたスルーホールを有するGaNベース発光ダイオードの接合温度と光電的性質

Junction temperature and optoelectronic properties of GaN-based light-emitting diodes with through-hole prepared by laser drill

著者 (2件)： WANG Wan-wei (Dep. of Electro-optical Engineering, National Taipei Univ. of Technol., 1, sec. 3, Chung-Hsiao E. Rd., Taipei 106 ...) ,  CHEN Lung-chien (Dep. of Electro-optical Engineering, National Taipei Univ. of Technol., 1, sec. 3, Chung-Hsiao E. Rd., Taipei 106 ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 3  ページ： 031213-031213-3  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究ではレーザ穿孔を用いて作製されたスルーホールと背面熱伝導性層を有する大面積(1mm×1mm)GaNベース発光ダイオード(LED)の可能性を実証した。350mAで,スルーホールを持つGaN LEDと持たないもの(コントロール試料)の光出力パワーはそれぞれ45.4mWと39mWであった。スルーホール付LEDの光出力パワーの向上は熱伝導効果が原因となっている。スルーホール付GaNベースLEDの接合温度は接合電流が20mAから400mAに増加すると共に19°Cから29°Cまで僅かに上昇した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *レーザ穴あけ ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *発光ダイオード ,  *スルーホール ,  熱伝導 ,  *温度 ,  出力
準シソーラス用語： *接合温度 ,  光出力

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： レーザ ,  穿孔 ,  作製 ,  スルーホール ,  GaN ,  発光ダイオード ,  接合温度 ,  光電 ,  性質