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J-GLOBAL ID:201202204621306946   整理番号:12A0924292

γ-Al2O3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を用いた超音波トランスデューサアレイの作製と送受信特性

Fabrication and transmit-receive characteristics of ultrasonic transducers array using epitaxial PZT thin films on γ-Al2O3/Si substrates
著者 (9件):
資料名:
巻: 112  号: 34(SDM2012 19-42)  ページ: 29-33  発行年: 2012年05月10日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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本研究では,エピタキシャルPZT/SrRuO3/Pt/γ-Al2O3/Si構造を用いた8×8chの2D pMUTsアレイを作製し,超音波の受信実験および送信実験を行った。受信信号のばらつきの平均化と送信音圧の向上のため1chは42個の振動子とし,医療診断装置で一般的に用いられるMHz帯を念頭に1素子の直径は100μmで作製した。作製したデバイスにおいて超音波の伝搬速度の違いを使用した文字のイメージングに成功した。また,1.2MHzでの超音波の送信に成功した。これらの結果から,送受信可能な超音波トランスデューサアレイの実現が期待できる。(著者抄録)
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分類 (1件):
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音響測定 

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