文献

J-GLOBAL ID：201202204944494920   整理番号：12A1737847

高倍率検査モードを有するEUV化学線ブランク検査装置

EUV Actinic Blank Inspection Tool with a High Magnification Review Mode

著者 (9件)： SUZUKI Tomohiro (Lasertec Corp., JPN) ,  MIYAI Hiroki (Lasertec Corp., JPN) ,  TAKEHISA Kiwamu (Lasertec Corp., JPN) ,  KUSUNOSE Haruhiko (Lasertec Corp., JPN) ,  YAMANE Takeshi (EUVL Infrastructure Dev. Center, JPN) ,  TERASAWA Tsuneo (EUVL Infrastructure Dev. Center, JPN) ,  WATANABE Hidehiro (EUVL Infrastructure Dev. Center, JPN) ,  INOUE Soichi (EUVL Infrastructure Dev. Center, JPN) ,  MORI Ichiro (EUVL Infrastructure Dev. Center, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8441  ページ： 844115.1-844115.9  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥のない極端紫外線リソグラフィー(EUVL)マスクの実現は非常に難しいと考えられる。したがって欠陥を緩和する技術(欠陥の影響を少なくする技術)が極めて重要になってくる。1つの欠陥緩和技術である”パターンシフト”は多層(ML)欠陥がウェハに転写されないような方法で,ML欠陥を覆うためにデバイスパターンを吸収パターンの下に置く。この技術は10nm以下の欠陥座標精度が必要である。このため本論文では欠陥座標測定精度を確認する方法を発表する。具体的にはEUV光線ブランク検査(ABI)システムの附属的な特徴として高精度欠陥位置決め機能の開発を開始した。そして600倍またはそれ以上の高倍率の光学系構造の詳細を述べる。次に精密な座標測定に適した光学系を議論する。さらに熱ドリフトによって誘起される誤差を最小にするための欠陥座標測定の手順を説明する。現在,欠陥座標を20nm以下の正確さで同定できるこのような検査装置を開発している途中段階である。

シソーラス用語： *欠陥検査 ,  *フォトリソグラフィー ,  *フォトマスク ,  積層欠陥 ,  ウエハ【IC】 ,  故障点標定 ,  *パターン形成 ,  位置測定 ,  ゾーンプレート ,  イメージセンサ ,  高感度 ,  画素 ,  測定精度
準シソーラス用語： 化学線ブランク検査 ,  EUVリソグラフィー ,  EUVマスク ,  Fresnelゾーンプレート ,  CCDセンサ

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高倍率 ,  検査モード ,  EUV ,  化学 ,  ブランク ,  検査装置