溶液処理亜鉛スズ酸化物薄膜トランジスターの伝達特性への吸着H<sub>2</sub>Oの役割

KIM DooHyun; YOON SooBok; JEONG YeonTaek; KIM YoungMin; KIM BoSung; HONG MunPyo

文献

J-GLOBAL ID：201202205229408753 整理番号：12A0495513

溶液処理亜鉛スズ酸化物薄膜トランジスターの伝達特性への吸着H₂Oの役割

Role of Adsorbed H₂O on Transfer Characteristics of Solution-Processed Zinc Tin Oxide Thin-Film Transistors

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資料名：
巻： 5 号： 2 ページ： 021101.1-021101.3 発行年： 2012年02月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

チャンネル層を室温の環境気体にさらした時の溶液-処理した亜鉛スズ酸化物薄膜トランジスター(ZTO TFT)の電気性能の変化を研究した。研究の間,バックチャネル表面のH₂Oの吸着がH₂Oの量に従い電子トラップおよび/またはドナーの働きをすることを観察した。更に,TFTで見られる異常な挙動が吸着/脱着の異なる速度に起因することを見つけた。最終的に,環境雰囲気で引き起こされるZTO TFTの電気特性の不安定性は,真空乾燥によって簡単に逆転できる。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ

引用文献 (20件)：

KIM, Y.-H. SID Symp. Dig. Tech. Pap., 2011. 2011, 42, 1166
YABUTA, H. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 112123
NOMURA, K. Nature (London). 2004, 432, 488
NISHII, J. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, L347
ITO, M. Proc. Int. Display Workshop, 2006. 2006, 663

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溶液処理亜鉛スズ酸化物薄膜トランジスターの伝達特性への吸着H2Oの役割

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