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J-GLOBAL ID：201202205261788428   整理番号：12A1306407

単結晶Co₂FeSiホイスラー合金薄膜の磁気活性化体積に及ぼす界面の効果

The effect of interfaces on magnetic activation volumes in single crystal Co₂FeSi Heusler alloy thin films

著者 (7件)： SAGAR J. (Dep. of Physics, The Univ. of York, York YO10 5DD, GBR) ,  SUKEGAWA H. (Magnetic Materials Unit, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-2-1 Sengen, Tsukuba 305-0047, JPN) ,  LARI L. (Dep. of Physics, The Univ. of York, York YO10 5DD, GBR) ,  LAZAROV V. K. (Dep. of Physics, The Univ. of York, York YO10 5DD, GBR) ,  MITANI S. (Magnetic Materials Unit, National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-2-1 Sengen, Tsukuba 305-0047, JPN) ,  O’GRADY K. (Dep. of Physics, The Univ. of York, York YO10 5DD, GBR) ,  HIROHATA A. (Dep. of Electronics, The Univ. of York, York YO10 5DD, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 10  ページ： 102410-102410-4  発行年： 2012年09月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MgO(001)基板上に育成した単結晶Co₂FeSi薄膜について,構造および磁化反転研究を行った。膜は,500°C以上での焼鈍後,L2₁構造に高規則化した。磁化反転について,膜内の活性化体積(V_act)を測定して調べた。この体積は,磁性体中の磁化反転単位を表わした。V_act(~4×10³nm³)は物理構造に依存しないことが分かった。V_actは,Co₂FeSi/MgO界面での周期的不整合転位のアレイに対応することが分かった。このような小さなV_actは,巨大磁気抵抗素子やトンネル磁気抵抗素子に要求されるコヒーレント磁化反転を妨げた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ホイスラー合金 ,  コバルト合金 ,  鉄含有合金 ,  ケイ素含有合金 ,  強磁性体 ,  金属薄膜 ,  単結晶 ,  磁性薄膜 ,  マグネシウム化合物 ,  酸化物 ,  バッファ層 ,  マグネトロンスパッタリング ,  基板 ,  曲線 ,  *磁化反転 ,  コヒーレンス ,  焼なまし ,  規則合金 ,  規則化 ,  *活性化体積 ,  界面 ,  不整合転位 ,  転位【結晶】 ,  アレイ ,  X線回折 ,  形態 ,  視野 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  磁場勾配 ,  磁気抵抗 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： トンネル磁気抵抗 ,  ヒステリシスループ ,  暗視野 ,  環状 ,  巨大磁気抵抗

分類 (1件)： 金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単結晶 ,  ホイスラー ,  合金薄膜 ,  磁気 ,  活性化体積 ,  界面