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J-GLOBAL ID：201202205452215061   整理番号：12A0385869

数電子領域におけるトップゲートゲルマニウムナノワイヤ量子ドット

Top-gated germanium nanowire quantum dots in a few-electron regime

著者 (4件)： SHIN Sung-kwon (Advanced Device Lab., RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  HUANG Shaoyun (Advanced Device Lab., RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  FUKATA Naoki (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Inst. for Materials Sci., Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  ISHIBASHI Koji (Advanced Device Lab., RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 7  ページ： 073103  発行年： 2012年02月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型の化学合成したゲルマニウムナノワイヤ(GeNW)から,その長さを金属電極接触によって狭めて,トップゲート量子ドット(QD)を作製した。中間HfO₂薄膜によって,狭めたGeNWはΩ形のトップゲートによって完全に被覆された。QDは液体ヘリウム温度において単一電子輸送測定によりプローブし,特性を評価して,QDが数電子領域に到達し,閉込め電子の数が零から調整可能であることを見いだした。電荷安定性ダイアグラムによって絶対零電子を確かめた。リンドナーが原因となったポテンシャルゆらぎから極めて小さいQDが生じることを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子ドット ,  ゲート【半導体】 ,  *ゲルマニウム ,  ナノワイヤ ,  酸化ハフニウム ,  素子構造 ,  半導体素子 ,  閉込め ,  リン ,  ドナー ,  ゆらぎ
準シソーラス用語： *トップゲート構造 ,  *単一電子デバイス ,  ポテンシャル揺らぎ

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (2件)： 電子 ,  量子ドット