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J-GLOBAL ID：201202205664444346   整理番号：12A1174557

シリコンバンプを持つ三次元ウエハレベルパッケージング用の電気的相互接続の再配置

Redistribution of Electrical Interconnections for Three-Dimensional Wafer-Level Packaging With Silicon Bumps

著者 (5件)： WU Guoqiang (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  WU Guoqiang (Graduate School of Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  XU Dehui (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  XIONG Bin (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN) ,  WANG Yuelin (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 8  ページ： 1177-1179  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 簡単で低コストの三次元(3D)ウエハレベルパッケージング法を提案した。ガラスフリットボンディングによるウエハレベルパッケージング技術を使って,シリコンバンプと電気配線を持つキャップウエハとMEMS共振器ウエハをボンディングする。ガラスフリットを使うため,従来のはんだ付けと異なり配線との絶縁が容易になった。デバイスウエハには金-アルミニウム共晶パッドが作られており,キャップウエハとデバイスウエハ間の電気的接続を行う。シリコンバンプはボンディング材料の高さを制御する。このプロセスはウエハレベルハーメチックシールを達成するだけでなく,電気的相互接続配線の再配置を達成している。この技術を使ったMEMS共振器を示した。

シソーラス用語： バンプ ,  ICパッケージ ,  ウエハ【IC】 ,  *相互接続 ,  高密度実装 ,  立体構造 ,  原価低減 ,  MEMS ,  共振器 ,  パッド ,  ハーメチックシール ,  移設
準シソーラス用語： *MEMS共振器 ,  *ウエハレベルパッケージング ,  再配置 ,  三次元実装 ,  低コスト化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  バンプ ,  ウエハレベルパッケージング ,  相互接続 ,  再配置