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J-GLOBAL ID：201202205696051613   整理番号：12A0555081

電子放出Siベース共鳴トンネルダイオード

Electron emission Si-based resonant-tunneling diode

著者 (4件)： EVTUKH A. (V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 41 prospekt Nauki, 03028 Kyiv, UKR) ,  LITOVCHENKO V. (V. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics, 41 prospekt Nauki, 03028 Kyiv, UKR) ,  GONCHARUK N. (Res. Inst. “Orion,” 03057 Kyiv, UKR) ,  MIMURA H. (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-Ku, Hamamatsu, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 2  ページ： 022207-022207-8  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新型の電界放出共鳴トンネルダイオードを提案し,理論的及び実験的に研究した。ダイオードは2重障壁量子構造の,入力ポテンシャル障壁としてのSiO_x層,量子井戸としてのSi層,出力ポテンシャル障壁としての真空層を含むSi-SiO_x-Si多層陰極に基づいている。計算によって電流密度-電場依存性の共鳴ピーク(入力障壁高さに依存して3個または4個)の存在を予測した。ダイオードのマイクロ波インピーダンスの周波数依存性はゼロからほぼ2π/3までの区間での電子走行角の値において量子井戸(QW)におけるエネルギー準位を通っての共鳴トンネリングに由来する負のコンダクタンスの存在を指し示している。更に,0.63THzの周波数において~57S/cmの最大値を有する,負のコンダクタンスの周波数依存性のピークも見出した。共鳴トンネリングがQWの第3共鳴準位を通って生ずる時,負のコンダクタンスバンドの最大上限周波数は0.45π近傍の走行角において2THzに達した。実験結果は研究した共鳴トンネル構造における共鳴ピークの存在を確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電界放出 ,  *共鳴トンネルダイオード ,  *真空マイクロデバイス ,  *ケイ素 ,  ポテンシャル障壁 ,  量子井戸 ,  コンダクタンス ,  酸化ケイ素 ,  周波数依存性 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 負性コンダクタンス

分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子放出 ,  Si ,  共鳴トンネルダイオード