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J-GLOBAL ID：201202206347237064   整理番号：12A0648842

Cu₂ZnSnS₄ナノ結晶を用いた薄膜作製とその特性評価

著者 (6件)： 末廣智 (九大 大学院総合理工学研究院) ,  湯浅雅賀 (九大 大学院総合理工学研究院) ,  田中徹 (佐賀大 大学院) ,  波多聰 (九大 大学院総合理工学研究院) ,  木田徹也 (九大 大学院総合理工学研究院) ,  島ノ江憲剛 (九大 大学院総合理工学研究院)
資料名： 電気化学会大会講演要旨集
巻： 79th  ページ： 394  発行年： 2012年03月29日 
JST資料番号： Y0048A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *スズ化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *化合物半導体 ,  *銅化合物 ,  *硫化物 ,  ナノ結晶 ,  薄膜 ,  スピンコーティング ,  薄膜成長 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  HAADF-STEM ,  *硫化ケステライト
準シソーラス用語： *CZTS

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cu2ZnSnS4 ,  ナノ結晶 ,  薄膜作製 ,  特性評価