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J-GLOBAL ID：201202206559481054   整理番号：12A0723660

メサ構造作製によるナノメートルオーダーの厚さを持つ超薄層に対する二次イオン質量分析法における深さプロファイリング

Depth profiling in secondary ion mass spectrometry for ultra-thin layer with nanometer order thickness by mesa-structure fabrication

著者 (4件)： SEKI S. (Takushoku Univ., Tokyo, JPN) ,  TAMURA H. (Takushoku Univ., Tokyo, JPN) ,  WADA Y. (Graduate School of Interdisciplinary New Sci., Toyo Univ.) ,  TSUTSUI K. (Graduate School of Interdisciplinary New Sci., Toyo Univ.)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 44  号： 5  ページ： 614-617  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： nmオーダーの厚さを持つ超薄層試料の深さプロフィルの詳細を調べることによりクレータエッジ効果とドミノ効果に注目した。ここでは超薄層試料にメサ作製を適用し,このメサ構造作製が超薄層試料に対する深さプロファイリングにも効率的であることを示した。また貫通深さと一次イオンエネルギーからみたドミノ効果を検討した。

シソーラス用語： *超薄膜 ,  *二次イオン質量分析 ,  *深さプロフィル ,  *メサ構造 ,  酸化ハフニウム ,  ウエハ【IC】 ,  化学蒸着 ,  セシウム化合物 ,  金属イオン
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  原子層化学蒸着 ,  セシウムイオン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： メサ構造 ,  作製 ,  ナノメートルオーダー ,  薄層 ,  二次イオン質量分析法 ,  深さプロファイリング