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J-GLOBAL ID：201202206674735060   整理番号：12A0255648

FeCoの数原子層中のコヒーレント磁化スイッチングの電圧パルスによる誘導

Induction of coherent magnetization switching in a few atomic layers of FeCo using voltage pulses

著者 (10件)： SHIOTA Yoichi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NOZAKI Takayuki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NOZAKI Takayuki (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  NOZAKI Takayuki (AIST, Ibaraki, JPN) ,  BONELL Frederic (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MURAKAMI Shinichi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MURAKAMI Shinichi (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  SHINJO Teruya (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUZUKI Yoshishige (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUZUKI Yoshishige (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 11  号： 1  ページ： 39-43  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気データ記憶に必須の電気誘導双安定性磁化スイッチングについて,磁気トンネル接合(MTJ)の抵抗変化検出によるナノスケール薄膜磁石の電場誘導トグルスイッチングを実証した。MgO(001)基板/MgO(10)/Cr(10)/Au(50)/Fe₈₀Co₂₀(0.70)/MgO(1.5)/Fe(10)/Au(5)(数字は膜厚,nm単位)から成る完全エピタキシャル配向MTJを分子線エピタキシーで作製し,超薄FeCo(001)/MgO(001)/Fe(001)接合のトンネル磁気抵抗曲線と電圧誘起異方性変化を測定した。Landau-Lifshitz-Gilbert式基礎のマクロスピンモデルでコヒーレント磁化スイッチングのシミュレーションを行った。次に,上記のMTJに70psの電圧パルスを印加,ロックイン増幅器で抵抗測定する方法でパルス電圧誘起磁化スイッチングを調べた。続いて,パルス持続時間と外部磁場の関数としてのスイッチング確率,P_switchの解析を示した。理想的等価スイッチング回路の単一スイッチングに対する大体の電力消費は10⁴K_Bのオーダであり,スピン電流注入スイッチングプロセスのそれに比べて1/500の低減因子を示唆するものである。

シソーラス用語： *磁石 ,  *金属薄膜 ,  *金属間化合物 ,  鉄合金 ,  クロム含有合金 ,  酸化マグネシウム ,  鉄 ,  *トンネル接合 ,  エピタクシー ,  MBE成長 ,  磁気抵抗 ,  異方性 ,  *スイッチング ,  *磁化 ,  数学モデル ,  計算機シミュレーション ,  電圧 ,  *確率 ,  継続時間 ,  外部磁場 ,  電力消費 ,  磁気メモリ
準シソーラス用語： *コヒーレント磁化スイッチング ,  *スイッチング確率 ,  トンネル磁気抵抗 ,  パルス電圧 ,  *磁気トンネル接合 ,  *薄膜磁石

分類 (4件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属の電子伝導一般  (BM03031E) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子層 ,  コヒーレント ,  磁化スイッチング ,  電圧パルス ,  誘導