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J-GLOBAL ID：201202206720871291   整理番号：12A0138221

狭いAu/n-GaAs Shottkyダイオードにおける電流輸送とエネルギー構造の形成

Current transport and formation of energy structures in narrow Au/n-GaAs Schottky diodes

著者 (3件)： MAMEDOV R.k. (Fac. of Physics, Baku State Univ., Academic Zahid Khalilov Str. 23, AZ 1148, Baku, Azerbaijan) ,  YEGANEH M.a. (Fac. of Physics, Baku State Univ., Academic Zahid Khalilov Str. 23, AZ 1148, Baku, Azerbaijan) ,  YEGANEH M.a. (Material Res. School, P.O.B. 654312-154, IRN)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 52  号： 2  ページ： 418-424  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 200μmの長さと1および4μm幅の接触表面を持つ狭いAu/n-GaAs Shottkyダイオード(SD)における電流輸送とポテンシャルバリア高さの形成を研究した。電流輸送の特徴は,高品質の従来型(平坦型)SDと同じように順方向バイアスにおいて熱電子放出理論と良く一致した。逆方向バイスでの電流輸送の特徴も熱電子放出理論により良く記述できるが,平坦型SDのI-V特性と異なる特徴を持っている。狭いSDの電流-電圧の順方向(I-U)特性は,ほとんど1の理想因子をもって,0.7Vまでほぼ9桁の電流の広い範囲にわたり半対数目盛上に直線で記述できる。逆方向電圧の初めでは電流は実際に非常に低かったが,電圧の増加により電圧が3~4Vでは電流は約3~4桁も跳ね上がり,その後に電流は電圧が約7Vまで半対数目盛で3~5桁にわたって線形増加する。飽和電流,動作時のバリア高さ,理想因子,無次元因子などのパラメータ値が得られる。理想因子と無次元因子の相関関係には有意性が認められた。狭いSDのエネルギーダイアグラムを,順方向および逆方向電圧の有無によって描くことができる。狭いSDの電気的プロセスは,現実の金属-半導体接触のエネルギーモデルによって良く記述できる。半導体の接触領域近傍で発生する付加的な電界は,コンタクト表面とそれに接している金属と半導体の自由表面の間の形成された接触電位差に起因する。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 金 ,  N型半導体 ,  ヒ化ガリウム ,  *Schottky障壁ダイオード ,  輸送現象 ,  電気伝導 ,  *ポテンシャル障壁 ,  *バンド構造 ,  熱電子放出 ,  電流電圧特性 ,  因子 ,  接触電位差
準シソーラス用語： 理想因子 ,  界面現象

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (5件)： Au ,  GaAs ,  ダイオード ,  電流輸送 ,  エネルギー