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J-GLOBAL ID：201202206901455532   整理番号：12A0555295

改良フローコーティング法により作製した6,13-ビス(トリイソプロピルシリルエチニイル)ペンタセン電界効果トランジスタの異方性電荷輸送と接触抵抗

Anisotropic charge transport and contact resistance of 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene field-effect transistors fabricated by a modified flow-coating method

著者 (4件)： SAKAMOTO Kenji (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN) ,  UENO Junichi (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN) ,  BULGAREVICH Kirill (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN) ,  MIKI Kazushi (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 12  ページ： 123301-123301-4  発行年： 2012年03月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 改良フローコーティング法を用いて,高配向の6,13-ビス(トリイソプロピルシリルエチニイル)ペンタセン活性層を持つボトムゲート/ボトムコンタクト型有機電界効果トランジスタ(OFETの)ペンタセン(TIPS-ペンタセン)を作製した。フローコーティングされたTIPS-ペンタセン薄膜はかなり均一で,フローコーティング方向に沿って針状結晶の配列から構成されていた。均一性であるため,トランスファーライン法により接触抵抗を決定できた。高性能OFETを製造するために修正フローコーティング法の有用性が実証され,電界効果移動度だけでなく,接触抵抗が,フローコーティング方向に対するチャネル電流方向に,大幅に依存することが見出された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *有機半導体 ,  *ポリアセン ,  *被覆 ,  ゲート【半導体】 ,  素子構造 ,  均一性 ,  針状晶 ,  配列 ,  *接触抵抗 ,  電流
準シソーラス用語： チャネル電流 ,  フローコーティング ,  ボトムゲート ,  ボトムコンタクト ,  有機電界効果トランジスタ ,  ペンタセン類

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： フロー ,  コーティング ,  作製 ,  ビス ,  ペンタセン ,  電界効果トランジスタ ,  異方性 ,  電荷輸送 ,  接触抵抗